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東莞市源林電子科技有限公司
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    ZnO壓敏電阻器的限壓原理:

    VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS為浪涌電壓,Zsourc為浪涌電壓源的阻抗,如傳輸線的電阻或線圈的電感等,ZSIOV

    為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估,因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低頻時(shí)大得多。

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    壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系:

    對ZnO壓敏電阻器,加在每晶界上的電壓約為3.5V,所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí),壓敏電阻器越厚,壓敏電壓越高,關(guān)系如下:

    U=UgbNgt , E0.5=U/t

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